报告题目：先进电子材料研究进展与发展趋势

报告人：陈弘达（中国科学院半导体研究所研究员）

报告时间：2019年10月9日下午14:00

报告地点：26-216

报告人简介：陈弘达，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院大学教授，博士生导师，享受国务院政府特殊津贴。1982年本科毕业于天津大学电子工程系半导体物理与器件专业，1990年天津大学电子工程系微电子技术专业获硕士学位，1996年天津大学精密仪器与光电工程学院光学仪器专业获博士学位。曾任中国科学院半导体研究所副所长。国家新材料产业发展专家咨询委员会成员，国家科技重大工程“重点新材料研发及应用”实施方案编写专家组成员，“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”实施方案编写专家组和总体专家组组长，中国光学学会光电技术专业委员会副主任，北京电子学会半导体专业委员会副主任，中国材料研究学会常务理事，“半导体科学与技术丛书”副主编。研究方向为光电子与微电子集成器件、集成电路与系统，主持国家重点研发计划纳米科技重点专项、国家973计划、国家863项目、国家自然科学基金重点项目等。，授权发明专利50余项，在国内外学术刊物和国际会议上发表SCI 、EI论文100余篇。

                                           科学技术处

                                           2019年10月8日