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关于发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2020年度项目指南的通知

发布时间:2020-05-28 作者:  来源: 阅读量:[]

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国家自然科学基金委员会现发布“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2020年度项目指南, 本计划针对后摩尔时代芯片技术的算力瓶颈,围绕以下三个核心科学问题展开研究:CMOS器件能耗边界及突破机理、突破硅基速度极限的器件机制、 超越经典冯∙诺依曼架构能效的机制,包含8个研究方向培育项目(80万元/项)和重点支持项目(300万元/项)两个类型,培育项目4个研究方向:新材料与低功耗器件、新材料与高性能器件、生物启发的新原理器件、存内计算新架构跨层次设计方法,重点支持项目4个研究方向:超低功耗新原理信息器件、CMOS异质集成低功耗高性能器件、高精度高能效神经形态新原理器件与网络、高能效存内计算芯片,请相关学科申请人按项目指南中所述的要求和注意事项积极组织申请,有意向申请的老师请于6月20日之前与科技处联系。

联系人:张宏敏 60215747

科技处

2020年5月28日

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